Clase del martes 18 de octubre

Asi empezo la clase, desde el punto en que se configuraba el circuito, en su primer bloque de recepcion. Con tal de tener el transistor de amplificación en zona activa, encontramos una solución a la deriva térmica que presenta este, a través de un conexionado especifico resistivo, podemos conservar la estabilidad y así que las variaciones de voltaje debidas a la deriva termica no terminen realimentadose "en lazo cerrado" provocando así un efecto aún mayor de más deriva térmica y así, hacer fallar el circuito.
Volvimos a revisar el modelo del transistor en pequeña señal y sus caracteristicas principales, siendo por ejemplo la resistencia base-emisor y la transimpedancia en la fuente de corriente dependiente, del modelo equivalente.
Encontramos la solucion para poder trabajar con el transistor en máxima sensibilidad, se colocó una capacitancia en paralela a la tensión base-emisor, además de acoplarla directamente con la señal de entrada, asi logrando la máxima amplificacion, ya que el transistor esta "adaptado" para variar enormemente ante pequeñas variaciones con esta señal de entrada.
Se explicó también que la ganacia de esta configuración era inversamente proporcional a la impedancia de entrada, y ya que la ganancia tiene un valor negativo, a través del modelo del efecto miller, encontramos una solución que es desacoplar la salida con la entrada, para nuestra frecuencia útil, mientras que para la alimentacíón y la red preparada para evitar la deriva térmica, no sea afectada por esta modificación.
Esta solucíon fue agregar una capacitancia a tierra en la resistencia que conecta la base con el colector , lo suficientemente alta para se comporte como cortocircuito para la señal útil y un circuito abierto para la alimentación.

clase del martes 11 de octubre

Se inicio con la continuación del entendimiento del transistor bipolar y caracteristicas básicas, la razon por la cual funciona como tal, y como nos puede ayudar a lograr una circuitería capaz de dotar de amplificación a la señal que recibiremos y como lo podremos lograr.
Asi pues,empezaremos diciendo que la union de 2 piezas metalicas semiconductoras es decir de dos metales diferentes ,tendrán un diferente potencial de extracción, lo cual al juntarlos físicamente generará en el metal una barrera de potencial entre los dos metales, lo cual podremos aprovechar de muchas maneras en los circuitos electrónicos.
Esta unión tendrá entonces propiedades especiales que podemos aprovechar para efectos de transferencia, y/o bloqueo de corriente y voltaje, siempre dependiente de la cantidad del voltaje aplicado, y su dirección de aplicación,  ya sea desde la pieza metálica de menor potencial denominada P, hacia la pieza de mayor potencial N o a la inversa, es decir, presentará un comportamiento anisotrópico respecto al voltaje.
Así, un transistor bipolar, es la unión de 3 piezas metálicas diferentes, es decir decir, es una configuración NPN o PNP.
Aprovechando la proporción exponencial de voltaje a corriente del transistor y despues esto convetirlo a voltaje a través de una apropiada configuracion con elementos resistivos, se puede lograr una ganancia muy alta respecto a tensión de entrada, que es nominalmente, la tension en la base del transistor bipolar , es decir en el metal del medio del transistor, en nuestro caso el metal P. A este terminal se le llama base. los otros terminales son tienen el nombre de colector y emisor. Cuando el transistor funciona en su máxima capacidad, es decir cuando la corriente fluye desde la base y desde el colector hacia el emisor, se dice que esta en zona activa.